二维半导体物理 txt umd azw3 下载 fb2 pdf 在线 免费

本书主要介绍二维半导体物理的 研究近况和本书作者 近的研究成果，着重在物理方面，内容包括二维半导体的结构、电子态、 性原理计算方法、紧束缚方法、声子谱、光学性质、输运性质、缺陷态、磁性二维半导体、催化作用等。每一章开始先简单介绍三维半导体的有关性质和理论，读者可以比较三维和二维的差别和相同之处。

前言

第1章 晶体结构和能带

1.1 氮化硼

1.2 黑磷

1.3 砷烯和锑烯

1.4 MX2（M=Mo,W;X=S,Se）

1.5 VX2（X=S,Se和Te）

1.6 SnX2（X=S,Se）

1.7 MX（M=Sn,Ge;X=S,Se）

1.8 ReX2（X=S,Se）

1.9 MX（M=B,Al,Ga,In;X=O,S,Se,Te）

参考文献

第2章 性原理计算方法

2.1 量子力学理论基础简介

2.1.1 多粒子体系薛定谔方程

2.1.2 Born-Oppenheimer近似

2.1.3 Hartree-Fock近似

2.2 密度泛函理论简介

2.3 多体格林函数理论

2.3.1 单粒子格林函数

2.3.2 Dyson方程

2.3.3 Hedin方程

2.3.4 GW近似

2.3.5 Bethe-Salpeter方程

参考文献

第3章 二维半导体结构与声子谱

3.1 晶体振动的一般理论

3.2 二维半导体的声子色散关系

3.3 力学性质

参考文献

第4章 二维半导体的光学性质

4.1 半导体的带间跃迁

4.2 激子效应

4.3 MX（M=Sn,Ge;X=S,Se）的光学性质

4.4 黑磷多层的光学性质

4.5 SnS2和SnSe2二维材料的激子效应

4.6 黑磷的激子效应

4.7 单层MoS2的发光

4.8 α-tellurene的激子态和振荡强度

4.9 二维半导体SnSSe激子效应的理论计算

4.10 二维半导体MM′XX′（M,M′=Ga,In;X,X′=S,Se,Te）激子效应的理论计算

参考文献

第5章 二维半导体中的缺陷态和合金

5.1 三维半导体中的杂质和缺陷

5.2 研究深能级杂质的集团模型方法

5.3 二维半导体杂质缺陷类型

5.4 二维半导体杂质缺陷态结合能的 性原理计算

5.5 二维半导体中的杂质缺陷态

5.6 单层过渡金属硫化物的缺陷态

5.7 单层MX2中的其他缺陷

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